SGT50T65FD1P7_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本IGBT管/模塊具備50A集電極電流（Ic）和650V集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電力電子系統。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低導通損耗，提升能效。內置二極管可支持50A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，表現出良好的導通特性和熱穩定性。該器件適合用于電源轉換、電機控制及高效能電子設備中，滿足對性能與可靠性的高標準需求。
