IKW40N120H3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.7V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備40A集電極電流（Ic）和1200V集射極擊穿電壓（Vces），支持高耐壓與大電流工作環境。導通狀態下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.7V，有效降低損耗并提升效率。內部集成二極管正向電流（IF）達40A，正向壓降（Vf）為1.85V，具備良好的開關特性和熱穩定性。該器件適用于各類高效能電源轉換系統、智能電網設備及新能源控制裝置中的高頻功率切換應用。
