IHW30N135R5-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:30A 參數2：電壓VCE:1350V 參數3：VCE(Sat):1.65V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具備30A的集電極電流(Ic)和1350V的集射極擊穿電壓(Vces)，可穩定工作于較高電壓與電流環境，適用于對功率控制要求較高的場景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.65V，能在導通狀態下保持較低損耗。內置二極管的正向電流(IF)為30A，正向壓降(Vf)為1.85V，具備良好的反向恢復特性。模塊采用高可靠性封裝，具備較好的熱穩定性與絕緣性能，適合應用于能源轉換、精密電源管理及相關配套設備中。
