DGW40N120CTLQ_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.7V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本產品為IGBT管/模塊，具備40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適合高電壓和較高電流的工作環境。在導通狀態下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.7V，有助于降低導通損耗。內置二極管可支持最大40A的正向電流（IF），其正向壓降（Vf）為1.85V，性能穩定。該器件適用于需要高效能功率控制的場景，如電源轉換、電機驅動及精密電子設備中，提供可靠且高效的解決方案。
