HX40N120-TO247_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.7V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具有40A的集電極電流(Ic)和1200V的集射極擊穿電壓(Vces)，適用于中高功率場合下的開關與控制應用。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.7V，在導通狀態下可保持較低的能量損耗，提升整體效率。內置二極管支持40A的正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為1.85V，具備良好的導通特性和反向恢復性能。模塊設計注重熱管理與絕緣隔離，能夠在較復雜環境下穩定運行，適合用于電力轉換、高效能電源系統及相關電子設備中。
