FGW75N65WE-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:75A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT模塊具備75A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中功率電力轉(zhuǎn)換與控制場(chǎng)合。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，導(dǎo)通損耗較低，有助于提升系統(tǒng)整體能效。內(nèi)置二極管可支持75A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，具備良好的導(dǎo)通與恢復(fù)特性。模塊采用優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)，兼顧散熱性能與電氣絕緣，適合應(yīng)用于電源設(shè)備、能量管理系統(tǒng)及其他高性能電子裝置中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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