IKW50N60H3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.65V 參數4：二極管正向電流:1.45A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為IGBT管/模塊，具備50A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率應用場景。導通狀態下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.65V，有助于降低導通損耗，提升系統效率。內置二極管可支持最大50A的正向電流（IF），其正向壓降（Vf）為1.45V，表現出優異的導通性能。該器件可廣泛應用于電源轉換、電機驅動及精密電子設備中，提供高效、穩定的功率控制解決方案。
