CRG50T60AK3SD_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.65V 參數4：二極管正向電流:1.45A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具備50A的集電極電流(Ic)和650V的集射極擊穿電壓(Vces)，可穩定工作于較高功率應用場景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))低至1.65V，有助于降低導通損耗，提升系統效率。內置二極管可承受50A的正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為1.45V，表現出良好的續流能力與熱穩定性。模塊采用標準封裝設計，適用于各類高要求電力電子設備中的功率變換與控制單元。
