NCE40TD120VT_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.7V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該IGBT模塊具有40A的集電極電流(Ic)和1200V的集射極擊穿電壓(Vces)，適用于高電壓與較高功率的應用場合。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.7V，在導通狀態(tài)下可保持較低的功率損耗。模塊內(nèi)置二極管具備40A的正向電流(IF)承受能力，正向壓降(Vf)為1.85V，具備良好的續(xù)流性能和熱穩(wěn)定性。整體設計支持高效、可靠的電力轉(zhuǎn)換與控制，適合多種高性能電子設備的應用需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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