CGWT40N120F2KAD_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.7V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為高性能IGBT管/模塊，具備集電極電流（Ic）40A、集射極擊穿電壓（Vces）1200V的優異參數表現，適合高電壓與大電流應用場景。在導通狀態下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）僅為1.7V，有助于降低導通損耗并提高系統效率。內置二極管可支持正向電流（IF）達40A，正向壓降（Vf）為1.85V，具備良好的熱穩定性和可靠性。適用于需要高效能功率轉換與控制的多種復雜場景，滿足嚴苛工況下的運行需求。
