CGWT40N120F2KAD_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:40A 參數2:電壓VCE:1200V 參數3:VCE(Sat):1.7V 參數4:二極管正向電流:1.85A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為高性能IGBT管/模塊,具備集電極電流(Ic)40A、集射極擊穿電壓(Vces)1200V的優異參數表現,適合高電壓與大電流應用場景。在導通狀態下,集射極飽和電壓(VCE(sat))僅為1.7V,有助于降低導通損耗并提高系統效率。內置二極管可支持正向電流(IF)達40A,正向壓降(Vf)為1.85V,具備良好的熱穩定性和可靠性。適用于需要高效能功率轉換與控制的多種復雜場景,滿足嚴苛工況下的運行需求。
