FGH75T65SQD-F155-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:75A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為IGBT管/模塊，具備75A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電力電子系統(tǒng)。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）低至1.6V，有效降低導通損耗，提升系統(tǒng)效率。內置二極管可承受最高75A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，具備良好的熱穩(wěn)定性和響應特性。該器件適合用于高頻開關、高效能轉換及電源管理相關的電路設計，滿足對性能與可靠性有較高要求的應用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
