NGTB40N120FL2WG-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.7V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本IGBT管/模塊具備40A集電極電流（Ic）和1200V集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電力電子設備。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）典型值為1.7V，有效降低導通損耗，提升系統(tǒng)效率。內置續(xù)流二極管支持40A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，具備良好的反向恢復特性。該器件適合應用于高性能電源轉換系統(tǒng)，如智能電網(wǎng)設備、高效能變頻器及精密電機控制模塊，滿足對穩(wěn)定性和耐壓能力有較高要求的電路設計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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