IKW60N60H3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:75A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.6A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本IGBT管/模塊具備75A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率場(chǎng)合下的電力控制與轉(zhuǎn)換。其導(dǎo)通時(shí)集射極飽和電壓（VCE(sat)）低至1.6V，有效減少導(dǎo)通損耗，提高整體能效。內(nèi)部二極管可承載最大75A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.6V，表現(xiàn)出良好的熱穩(wěn)定性與可靠性。該器件適合用于對(duì)效率、穩(wěn)定性和空間布局有較高要求的多種應(yīng)用場(chǎng)合，滿足復(fù)雜環(huán)境下的長(zhǎng)期運(yùn)行需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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