IKQ140N120CH7XKSA1-HXY_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:140A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.55V 參數(shù)4：二極管正向電流:2.01A 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該IGBT模塊具備140A的集電極電流（Ic）與1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適合高功率密度場景的應(yīng)用需求。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.55V，有效降低導(dǎo)通狀態(tài)下的能量損耗，提升整體能效表現(xiàn)。內(nèi)部集成二極管可支持140A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為2.01V，具有良好的熱穩(wěn)定性和快速恢復(fù)能力。模塊設(shè)計兼顧可靠性和兼容性，適用于多種高效電力轉(zhuǎn)換設(shè)備的構(gòu)建與優(yōu)化。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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