GWA40MS120DF4AG-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.7V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款IGBT管/模塊具備40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于較高功率等級的電力轉換應用。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.7V，有助于降低導通損耗并提升整體能效。內置二極管支持40A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，表現出良好的穩定性和可靠性。該器件可廣泛應用于電源系統、電機驅動、智能電網及相關電子設備中，滿足對高性能電力電子器件的技術需求。
