MSG160T65HLC1_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:160A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.37V 參數4：二極管正向電流:1.33A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具有160A的集電極電流(Ic)和650V的集射極擊穿電壓(Vces)，適用于高功率密度應用。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.37V，有助于降低導通損耗。內置二極管可支持160A的正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為1.33V，具備良好的續流能力。模塊采用穩定封裝結構，適合在多種電力變換系統中使用，提供可靠的開關性能和熱穩定性。
