15T65SD_TO-220F_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：50/管裝 參數1：電流IC:15A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.79V 參數4：二極管正向電流:1.68A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備15A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適合中高功率電力電子系統應用。導通時集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.79V，有助于控制導通損耗。內部續流二極管可承受15A的正向電流（IF），其正向壓降（Vf）為1.68V，表現出良好的導通性能與恢復特性。該器件結合穩定的封裝工藝，提供可靠的電氣絕緣與散熱能力，適用于對效率、耐壓及長期穩定性有要求的高頻開關電源、變頻設備及智能電網相關裝置。
