MIW40N120FLA-BP-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.7V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具備40A的集電極電流(Ic)和1200V的集射極擊穿電壓(Vces)，適用于高電壓、中等功率的電力轉換應用。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.7V，能夠在較高電壓環(huán)境下保持穩(wěn)定的導通性能。內置續(xù)流二極管支持40A的正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為1.85V，提供良好的電流流通與續(xù)流能力。模塊采用堅固封裝結構，具有出色的熱穩(wěn)定性和可靠性，適用于多種電源變換系統(tǒng)中的高頻開關操作。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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