IXYH40N120B3D1-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.9V 參數(shù)4：二極管正向電流:2.5A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT管/模塊具備40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），可穩(wěn)定支持高功率應(yīng)用場(chǎng)景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.9V，有助于降低導(dǎo)通損耗。內(nèi)置二極管可承受40A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為2.5V，提升了整體能效與可靠性。該器件適用于需要高效能電力轉(zhuǎn)換與控制的設(shè)備，提供穩(wěn)定的電路運(yùn)行表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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