IXXH60N65C4-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:75A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.6A 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該IGBT模塊具有75A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率應用場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，能夠在導通狀態(tài)下保持較低的功耗。模塊內(nèi)置二極管，可承受75A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）同樣為1.6V，具備良好的反向恢復性能。該器件適合用于電源轉(zhuǎn)換、電機控制及能源管理等領(lǐng)域，提供穩(wěn)定可靠的開關(guān)表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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