IXXH60N65B4-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:75A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.6A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT管/模塊具備75A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電力轉換場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低導通損耗，提升系統效率。內置二極管可承受75A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.6V，進一步優化整體電性能表現。該器件適合用于多種類型的電力電子設備中，滿足對穩定性和效率的較高要求。
