IXYH120N65C3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:100A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.45V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.55A 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該IGBT模塊具備100A集電極電流（Ic）和650V集射極擊穿電壓（Vces），適合多種中高功率電力電子應(yīng)用。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.45V，有效降低導(dǎo)通損耗，提升整體能效。內(nèi)置二極管可承受100A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.55V，具備良好的熱穩(wěn)定性和快速恢復(fù)特性。適用于電源變換、智能電網(wǎng)設(shè)備、高性能電機驅(qū)動等場景，提供高效、可靠的開關(guān)控制能力。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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