IGW100N60H3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:100A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.45V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.55A 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本IGBT模塊具有100A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率應(yīng)用場景。導(dǎo)通狀態(tài)下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）低至1.45V，有效減少導(dǎo)通損耗，提升整體能效。內(nèi)置二極管可承受100A的正向電流（IF），其正向壓降（Vf）為1.55V，具備良好的導(dǎo)電性能與熱穩(wěn)定性。該模塊可廣泛用于高效能電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、精密電機驅(qū)動及電力調(diào)控裝置，為高要求電路設(shè)計提供可靠的技術(shù)支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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