IXYH120N65B3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:100A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.45V 參數4：二極管正向電流:1.55A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具有100A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率應用場合。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.45V，有助于降低導通損耗，提高系統效率。內部二極管具備100A的正向電流（IF）能力，正向壓降（Vf）為1.55V，表現出良好的反向恢復特性。該器件采用標準封裝設計，適用于多種電力電子變換裝置，如電源轉換、智能電網設備及精密電機控制等場景，提供穩定可靠的開關性能。
