APT35GP120BG-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.9V 參數(shù)4：二極管正向電流:2.5A 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該IGBT模塊具備40A集電極電流（Ic）和1200V集射極擊穿電壓（Vces），適用于較高電壓等級的電力電子應(yīng)用。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.9V，在高耐壓條件下仍可保持較好的導(dǎo)通性能。內(nèi)置二極管支持40A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為2.5V，具備良好的熱穩(wěn)定性和反向恢復(fù)特性。適用于電源轉(zhuǎn)換、智能電網(wǎng)設(shè)備、精密電機控制等場景，提供高效、穩(wěn)定的開關(guān)表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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