IGW40N120H3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.9V 參數4：二極管正向電流:2.5A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具有40A集電極電流（Ic）和1200V集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率場合。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.9V，有助于降低導通損耗，提升系統效率。內置二極管可承受40A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為2.5V，支持快速、穩定的反向恢復特性。該器件適用于各類電源轉換設備、電機驅動裝置及儲能系統，具備良好的熱穩定性和可靠性，適合在復雜工況下長期運行，滿足多樣化功率控制需求。
