IXGH50N120C3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.9V 參數4：二極管正向電流:2.5A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款IGBT管/模塊具備40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于較高功率應用場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.9V，能夠在導通狀態下保持較低的能量損耗。內置二極管可支持40A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為2.5V，性能穩定。該器件適合用于需要高效能開關和功率控制的設備中，例如電源轉換裝置、電機驅動系統以及儲能設備等，具備良好的熱穩定性和可靠性，能夠滿足復雜工況下的運行需求。
