RGS80TS65HRC11-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.8A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為IGBT管/模塊，主要參數包括：集電極電流（Ic）為40A，集射極擊穿電壓（Vces）達650V，確保在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作；集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低導通損耗。內置二極管的正向電流（IF）為40A，正向壓降（Vf）為1.8V，具備良好的續(xù)流能力。該器件適用于需要高效能功率轉換與控制的場景，如智能電網、可再生能源系統(tǒng)及精密電機驅動等領域，提供可靠、高效的性能支持。
