APT68GA60B-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.8A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備40A集電極電流（Ic）和650V集射極擊穿電壓（Vces），滿足中高功率場景下的開關需求。導通時集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有效控制導通損耗。內部集成續流二極管，其正向電流（IF）達40A，正向壓降（Vf）為1.8V，確保穩定工作。該器件適用于電源變換、智能電網、高性能電子設備等應用場景，具備良好的熱穩定性與開關性能，可為系統提供高效可靠的支持。
