IGW40N60H3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.8A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為IGBT管/模塊，具備40A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適合中高功率應用需求。在導通狀態下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低導通損耗。內置續流二極管的正向電流（IF）為40A，正向壓降（Vf）為1.8V，性能穩定。該器件適用于需要高效能開關操作與熱穩定性的場合，可廣泛用于電源轉換、智能電網及高性能電子設備中。
