IGW40N60H3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:40A 參數2:電壓VCE:650V 參數3:VCE(Sat):1.6V 參數4:二極管正向電流:1.8A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為IGBT管/模塊,具備40A的集電極電流(Ic)和650V的集射極擊穿電壓(Vces),適合中高功率應用需求。在導通狀態下,集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.6V,有助于降低導通損耗。內置續流二極管的正向電流(IF)為40A,正向壓降(Vf)為1.8V,性能穩定。該器件適用于需要高效能開關操作與熱穩定性的場合,可廣泛用于電源轉換、智能電網及高性能電子設備中。
