IGW50N65H5AXKSA1-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:50A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT模塊具備50A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于較高功率場景下的開關(guān)控制。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，能在導(dǎo)通狀態(tài)下保持較低的能量損耗。內(nèi)置二極管可支持50A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，提升了系統(tǒng)整體效率。該模塊結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高，適合用于需要穩(wěn)定高頻開關(guān)性能的電力電子設(shè)備中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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