IRGP4760-EPBF-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該IGBT模塊具備50A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于較高功率場景下的開關控制。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，能在導通狀態下保持較低的能量損耗。內置二極管可支持50A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，提升了系統整體效率。該模塊結構緊湊、可靠性高，適合用于需要穩定高頻開關性能的電力電子設備中。
