RGTH00TS65GC11-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為高性能IGBT管/模塊，具備集電極電流（Ic）50A、集射極擊穿電壓（Vces）650V的優良參數表現。在導通狀態下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）僅為1.6V，有助于降低導通損耗。內置二極管可支持正向電流（IF）達50A，正向壓降（Vf）為1.85V。適用于需要高效能功率轉換與穩定電氣特性的多樣化場景，提供可靠的技術支持和運行穩定性。
