IGW50N65F5-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:50A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
該IGBT模塊具有50A的集電極電流(Ic)和650V的集射極擊穿電壓(Vces)，適用于中高功率應(yīng)用場(chǎng)景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.6V，有助于降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。內(nèi)置二極管可承受50A的正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為1.85V，具備良好的反向恢復(fù)特性。模塊采用高可靠封裝工藝，適用于電源變換、智能電網(wǎng)、新能源控制等領(lǐng)域，提供穩(wěn)定高效的開關(guān)性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
