RGS00TS65HRC11-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備50A集電極電流（Ic）與650V集射極擊穿電壓（Vces），滿足高耐壓與大電流工作需求。導通時集射極飽和電壓（VCE(sat)）低至1.6V，顯著降低功率損耗。內部集成續流二極管，支持50A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，提升系統能效。適用于各類高效功率轉換裝置，如智能電源管理系統、高性能電機控制電路及可再生能源變換設備，提供穩定、可靠的電氣性能和良好的熱穩定性。
