IGW50N60H3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具有50A集電極電流（Ic）和650V集射極擊穿電壓（Vces），適用于多種中高功率電子系統。其1.6V的飽和壓降（VCE(sat)）可有效減少導通損耗，提升轉換效率。內置二極管支持50A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，具備良好的導通特性和熱穩定性。模塊采用優化的封裝結構，兼顧散熱性能與電氣隔離，適用于電源變換器、智能電網設備、新能源控制系統等高性能場景，提供高效、可靠的開關解決方案。
