IGW50N60TP-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:50A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT模塊具備50A的集電極電流（Ic）與650V的集射極擊穿電壓（Vces），適合多種中高功率應(yīng)用場(chǎng)合。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有效降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升整體能效。內(nèi)部續(xù)流二極管可支持50A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，具備優(yōu)良的熱穩(wěn)定性與動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性。模塊設(shè)計(jì)注重電氣隔離與散熱性能，適用于電力電子變換、智能能源管理及高效電源系統(tǒng)等場(chǎng)景，提供穩(wěn)定可靠的開(kāi)關(guān)控制能力。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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