AFGHL75T65SQ-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:75A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具備75A集電極電流（Ic）和650V集射極擊穿電壓（Vces），適合多種中高功率應用場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有效降低導通狀態下的能量損耗。內部二極管支持75A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，表現出良好的導通特性與熱穩定性。模塊設計兼容標準安裝方式，便于散熱和系統集成，適用于電力電子變換、高效能電機驅動及精密能源調控等場合，具備較高的可靠性與耐用性。
