IXXX160N65C4-HXY_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:160A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.37V 參數4：二極管正向電流:1.33A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具有160A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電力電子系統。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.37V，有效降低導通損耗，提升整體效率。內部集成的續流二極管可承受160A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.33V，具備良好的電流承載與恢復性能。該器件適合應用于電源轉換、能量管理及高效能電子設備中，支持高頻開關操作，滿足對穩定性和可靠性要求較高的電路設計需求。
