FGH75N60SFTU-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:75A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT模塊典型集電極電流為75A，集射極擊穿電壓達(dá)650V，具備較高的電流承載與耐壓能力。導(dǎo)通狀態(tài)下，集射極飽和電壓為1.6V，有助于減少功率損耗。內(nèi)部續(xù)流二極管可承受75A正向電流，正向壓降為1.85V，表現(xiàn)出良好的導(dǎo)通性能。模塊采用通用封裝設(shè)計，便于安裝與散熱，適用于多種電力電子系統(tǒng)中的開關(guān)與控制場景，能夠滿足對穩(wěn)定性和效率有較高要求的應(yīng)用需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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