APT50GT120B2RG-HXY_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.9V 參數4：二極管正向電流:2.7A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款IGBT管/模塊具備50A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電路應用。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.9V，在導通狀態下可保持較低的能量損耗。內置二極管支持50A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為2.7V，具有良好的熱穩定性和開關性能，適用于多種高性能電力電子系統的設計與應用。
