LKB40N65TF2_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.65V 參數(shù)4：二極管正向電流:2.2A 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本IGBT管/模塊具備40A集電極電流（Ic）和650V集射極擊穿電壓（Vces），適用于多種中高功率應(yīng)用場景。導(dǎo)通時集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.65V，有效降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。內(nèi)置二極管可承受40A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為2.2V，提供穩(wěn)定續(xù)流能力。器件適合用于電源變換、電機控制及高頻開關(guān)設(shè)備，在復(fù)雜電氣環(huán)境中表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性與耐久性，滿足多樣化設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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