IRF830PBF_TO-220C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:4.5A 參數(shù)2：電壓VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:1200mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備了4.5A的連續(xù)電流承載能力，最大漏源電壓VDSS可達(dá)500V，提供了一種可靠的高電壓解決方案。其導(dǎo)通電阻RDSS僅為1.2Ω，在保證高效能的同時，有助于減少功耗發(fā)熱，提升了整體系統(tǒng)的效率。該MOSFET的柵源電壓VGS最高可承受±30V，增強(qiáng)了電路設(shè)計(jì)的靈活性，適用于多種通用電子設(shè)備中的電源管理和信號處理環(huán)節(jié)，如便攜式電子產(chǎn)品、家用電器及消費(fèi)類設(shè)備中作為開關(guān)或放大組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
