HIRFZ44NPBF_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:12mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）設計緊湊，具備出色的電氣性能。其最大漏源電流（ID）可達25安培，在10伏特下的導通電阻（RDSON）僅為12毫歐姆，有效降低了導通狀態下的功耗。該器件的最大漏源電壓（VDSS）為60伏特，能夠承受較高電壓的應用環境，同時，柵源電壓（VGS）的最大值為20伏特，提供了寬泛的操作范圍。此MOSFET適用于各種電子設備中的電源管理與信號控制，如便攜式電子產品、消費類電器等，是高性能電路設計的理想選擇。
