HXYJ11N65D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:22A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:380mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
【HXYJ11N65D 場效應(yīng)管(MOSFET)】采用TO-252-2L封裝，支持22A的最大漏極電流和650V的漏源電壓，導(dǎo)通電阻為380mΩ。此N溝道MOSFET在30V柵源電壓下具有優(yōu)良的開關(guān)性能和耐高壓特性，適用于各種高效率電源轉(zhuǎn)換和電路控制應(yīng)用，確保電路運行的穩(wěn)定性和可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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