IRF530NPBF_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：電流ID:17A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:80mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有穩定的電氣特性，其最大漏源電流（ID）為17安培，能夠在高頻率和高速切換的應用中保持良好的性能。在10伏特的測試條件下，導通電阻（RDSON）僅為80毫歐姆，有助于減少能量損耗。器件的最大漏源電壓（VDSS）為100伏特，表明它可以安全地工作在較高的電壓環境下。柵源電壓（VGS）的最大額定值為20伏特，便于驅動控制。此MOSFET適用于消費電子設備中的電源轉換和負載開關等場合，如個人電子裝置及家用電器的電路保護與效率提升。
