HIGLD60R190D1_DFN8X8_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款氮化鎵晶體管為N型，電流為10A，電壓650V。適用于多種電子產品領域，能在較高電壓下穩定工作，承載一定電流。具有高效、低損耗等特點，可提升電子產品的性能和穩定性，滿足特定功率需求場景。
