HC1M40120J_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流ID:68A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅場效應管（MOSFET）具有68A的最大電流承載能力（ID），能夠承受高達1200V的漏源電壓（VDSS），展現出了卓越的耐壓性能。其導通電阻（RDSON）僅為40毫歐，意味著在導通狀態下能有效減少能量損耗，提升系統的整體效率。作為一款N溝道類型器件，它適用于要求嚴苛的電源轉換場景中，如高性能計算設備的電源模塊、消費電子產品中的開關電源等，能夠提供可靠的高頻開關性能。
