HC1M60120D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:40A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:60mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅場效應管（MOSFET）具有40A的連續電流承載能力（ID），最大漏源電壓（VDSS）可達1200伏特，適用于需要高電壓處理能力和良好熱穩定性的電路設計。其導通電阻（RDON）僅為60毫歐姆，在導通狀態下能夠有效降低功耗，提高系統的整體效率。作為一款N溝道類型器件，它能夠在邏輯電平驅動下工作，適合用于高性能開關電源、太陽能逆變器以及其他要求嚴苛的電力轉換應用中，提供快速的開關響應與可靠的性能表現。
