NTH4L080N120SC1_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:32A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）具備出色的電氣特性，其連續(xù) drain 電流（ID）可達(dá) 32A，在阻斷電壓（VDSS）方面則高達(dá) 1200V。此器件導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為 75毫歐，有助于減少功率損耗。其柵源電壓（VGS）的最大絕對值為 15V，確保了可靠的開關(guān)性能。作為一款N溝道MOSFET，它適用于多種高頻開關(guān)應(yīng)用中，例如在精密電源管理或消費(fèi)類電子產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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